由于采用了內(nèi)部PMOSFET架構(gòu)，加上防倒充電路，所以不需要外部隔離二極管。熱反饋可對充電電流進(jìn)行自動調(diào)節(jié)，以便在大功率操作或高環(huán)境溫度條件下對芯片溫度加以限制。充滿電壓4.2V而充電電流可通過一個電阻器進(jìn)行外部設(shè)置。當(dāng)充電電流在達(dá)到*終浮充電壓之后降至設(shè)定值1/10時，TP4086B/C將自動終止充電循環(huán)。
當(dāng)輸入電壓(交流適配器或USB電源)被拿掉時，TP4086B/C 自動進(jìn)入一個低電流狀態(tài)，將電池漏電流降至1uA以下。TP4086B/C在有電源時也可置于停機(jī)模式，從而將供電電流降至100uA。TP4086B/C 的其他特點包括電池反接保護(hù)、輸入欠壓閉鎖、輸入過壓保護(hù)、自動再充電、CE使能端控制和兩個用于指示充電、結(jié)束的LED狀態(tài)引腳。
TP4086B不含有芯片使能功能，TP4086C含有芯片使能功能，其它功能均相同。
特性：
●*高32V電源輸入(需按典型電路應(yīng)用)
●高達(dá)1000mA的可編程充電電流
●恒定電流/恒定電壓操作，有溫度自適應(yīng)可實現(xiàn)充電速率*大化
●精度達(dá)到士1%的預(yù)設(shè)充電電壓
●輸入電壓6.7V時芯片0VP保護(hù)
●充電狀態(tài)雙輸出、無電池和故障狀態(tài)顯示
●低于C/10充電終止,涓流電流10%
●無電源時電池漏電小于luA
●電池溫度監(jiān)測功能,電池反接保護(hù)功能
●采用8引腳ESOP/DFN2*2
TP4086B 使用注意事項
1、為保證各種情況下可靠使用，防止輸入電源插拔所產(chǎn)生的尖峰和毛刺電壓損壞芯片，芯片VCC端(使用RS RA及CA器件)必須按照典型電路應(yīng)用才可保證高壓輸入不被損壞，建議TP4086B/C典型應(yīng)用情況下，Vcc端口電容采用X7R的1uF陶瓷電容,電容耐壓選擇*高輸入電壓1.5-2倍; BAT端采用10uF陶瓷電容。所有電容位置以靠近芯片引腳為優(yōu)，電容地并集中連接于芯片地，不宜過遠(yuǎn)。
2、VCC端串聯(lián)一顆0.2歐的0805或1206封裝耗散電阻，電阻參數(shù)及封裝可根據(jù)實際應(yīng)用選擇，主要考慮其功率是否足夠;耗散電阻不僅可以得到穩(wěn)定的充電電流，有效降低芯片充電電發(fā)熱量，對輸入上電瞬間所產(chǎn)生的尖峰電壓有抑制作用且對整機(jī)系統(tǒng)的可靠性也有極大的提升。
3、TP4086B/C采 用ESOP8/DFN2*2-8封裝，使用中需將底部散熱片與PCB板焊接良好，底部散熱區(qū)域需要加多個通孔，并有大面積銅箔散熱為優(yōu)。多層PCB加充分過孔對散熱有良好的效果，散熱效果不佳可能引起充電電流受溫度保護(hù)而減小。
4、如需測試TP4086B/C充電電流，芯片BAT端(5號腳)應(yīng)直接連接電池正極，不可聯(lián)電流表，電流表可串在芯片VCC端。
