MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱(chēng)為source，另一個(gè)稱(chēng)為drain。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓。只要GATE對(duì)BACKGATE的電壓仍舊小于閾值電壓，就不會(huì)形成channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain?？偟膩?lái)說(shuō)，只有在gate對(duì)source電壓V超過(guò)閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流。除了以上產(chǎn)品外，公司同時(shí)還供應(yīng)有三端穩(wěn)壓芯片、降壓芯片等產(chǎn)品，我們公司具備有*實(shí)戰(zhàn)的技術(shù),專(zhuān)業(yè)的運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì),為您創(chuàng)造以用戶(hù)體驗(yàn)為前提的服務(wù)，服務(wù)的至善至美是我們永無(wú)止境的追求。因?yàn)橐悦駷楸?，所以值得信?lài)；因?yàn)閷?zhuān)業(yè)專(zhuān)職，所以值得選擇.以上信息僅供參考，詳情請(qǐng)致電相關(guān)工作人員為您解答。