mos管主要參數(shù)介紹

mos管是金屬（metal）-氧化物（oxid）-半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
　　主要參數(shù)
　　1.開啟電壓VT
　　·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
　　·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3~6V;
　　·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2~3V.
　　2. 直流輸入電阻RGS
　　·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
　　·這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示
　　·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
　　3. 漏源擊穿電壓BVDS
　　·在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
　　·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
　?。?）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
　?。?）漏源極間的穿通擊穿
　　·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
　　4. 柵源擊穿電壓BVGS
　　·在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS.
　　5. 低頻跨導(dǎo)gm
　　·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
　　·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
　　·是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
　　·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
　　6. 導(dǎo)通電阻RON
　　·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
　　·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
　　·由于在數(shù)字電路中 ,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似
　　·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
　　7. 極間電容
　　·三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
　　·CGS和CGD約為1~3pF
　　·CDS約在0.1~1pF之間
　　8. 低頻噪聲系數(shù)NF
　　·噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動的不規(guī)則性所引起的
　　·由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
　　·噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）
　　·這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
　　·低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測出的噪聲系數(shù)
　　·場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小
　　無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng)，因此在開關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管快。

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